4H-SiC TBS结构双极晶体管特性模拟

摘要：

本文中,利用二维器件仿真软件Medici建立4H-SiC双极晶体管模型,并在此基础上,对4H-SiC TBS结构双极晶体管进行了模拟研究,结果显示共射极最大电流增益为47,击穿电压大于1000V.与普通结构的双极晶体管特性相比较,TBD结构双极晶体管显示出了该结构的优越性.

关键词： 双极晶体管 带隙窄变效应 俄歇复合 仿真软件

作者: 陈洪波 张义门 张玉明 汤晓燕

作者单位: 西安电子科技大学微电子所,教育部宽禁带半导体重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 601-604

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）