InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

摘要：

本文介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面研究工作.采用发射极基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT DHBT器件,发射极尺寸为1.5 μm×10 μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVcso≥10V,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为50GHz和55GHz。

关键词： InP材料 双异质结晶体管 自对准工艺 材料生长

作者: 蔡道民 李献杰 赵永林 刘跳 林涛 江李 马晓宇

作者单位: 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国科学院半导体研究所工程中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 128-131

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）