In离子选择性注入GaAs(001)衬底的有序量子点形成和扩散
离子注入技术是一种重要的制备低微量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序量子点.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及退火,获得了均匀有序的量子点,采用原子力显微镜观察了量子点随温度变化的形貌变化特征.观察到注入In离子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达630℃,沿”1-10”方向的扩散要比”110”方向扩散要快,而且呈现各向异性.
离子注入 GaAs衬底 铟离子 各向异性 有序量子点
周慧英 曲胜春 程抱昌 刘俊朋 王占国
中国科学院半导体所材料科学重点实验室
国内会议
广西北海
中文
121-124
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）