InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱研究

摘要：

制备了InP基近红外波段量子线激光器,在变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现.随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.经分析认为,所制备的激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由于自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.

关键词： InAs量子线 InP基 量子线激光器 激射谱 红外波段 电致发光谱

作者: 杨新荣 徐波 王占国 任云云 焦玉恒 梁玲燕 汤晨光

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 109-111

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）