In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与器件

摘要：

采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×8线列器件,光谱响应范围为0.90-1.70μm,量子效率为73％,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为1012 cmHz1/2W-1.

关键词： 金属有机化合物气相沉积 铟镓砷探测器 红外探测器 磷化铟材料

作者: 缪国庆 金亿鑫 张铁民 谢建春 蒋红 李志明 宋航

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 87-89

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）