MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层研究
研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.
MBE 渐变缓冲层 MMHEMT 高分辨X射线衍射 分子束外延 GaAs基 InAlAs组分
高宏玲 王宝强 朱战平 李成基 段瑞飞 曾一平
中科院半导体研究所材料中心,北京,100083
国内会议
广西北海
中文
83-86
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）