半绝缘InP长单晶生长研究

摘要：

本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50 mm,长190 mm,直径80-100 mm,长150 mm的半绝缘磷化铟单晶。

关键词： InP单晶 孪晶 高压液封直拉法 坩埚随动 半绝缘磷化铟

作者: 孙聂枫 毛陆虹 郭维廉 周晓龙 杨瑞霞 张伟玉 孙同年

作者单位: 河北半导体研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;天津大学,电子信息工程学院,天津,300072 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072 河北半导体研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051 河北工业大学,信息工程学院,天津,300130 天津农学院,机电工程系,天津,300384

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 79-82

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）