Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质研究

摘要：

利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量证明了InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度高于400 K.

关键词： 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延 InAs 自组织量子点

作者: 郑玉宏 赵建华 毕京锋 王玮竹 邓加军 夏建白

作者单位: 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科技大学,物理系,安徽合肥,230026;中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 74-77

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）