AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压研究

摘要：

本文利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一切实可行的方法。

关键词： AlGaN/GaN异质结 场效应晶体管 HFET 阈值电压 C-V曲线 微分极值点

作者: 林兆军 赵建芝 张敏

作者单位: 山东大学物理与微电子学院,济南市,250010

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 292-296

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）