AlGaN/GaN HEMT直流电流崩塌效应研究
对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有更显著的电流崩塌效应,而且电流崩塌效应和肖特基反向泄漏电流随栅偏置电压的变化趋势具有一致性,说明肖特基栅反向泄漏电流是引起电流崩塌效应的重要原因。
AlGaN表面态 GaN材料 HEMT 电流崩塌效应 直流偏置应力 肖特基栅 材料缺陷
李诚瞻 刘键 刘新宇 刘果果 陈晓娟 庞磊 和致经
中国科学院微电子研究所,100029
国内会议
广西北海
中文
288-291
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）