粉源对大直径SiC晶体生长的影响

摘要：

本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌:粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长

关键词： PVT法 SiC粉源 温度场 空隙率 晶体生长

作者: 张群社 陈治明 封先锋 刘博

作者单位: 西安理工大学电子工程系,西安,710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 598-600

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）