台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

摘要：

本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器＃1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和p+层以及p层制备出探测器＃2、＃3和＃4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器＃2,其次是探测器＃4、＃1、＃3,其中探测器＃2比其它类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器＃1位于341nm处,探测器＃2、＃3和＃4分别在312nm、305nm和297nm处.

关键词： 4H-SiC 紫外探测器 台面结构 光窗口

作者: 刘兴昉 曾一平 孙国胜 李晋闽 赵永梅 宁瑾 王雷 赵万顺 罗木昌 李家业

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院传感技术国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 中国科学院传感技术国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 590-593

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）