P+多晶硅/P-4H-SiC异质结特性的研究

摘要：

本文采用器件模拟软件ISE TCAD模拟了P+多晶硅/P-4H-SiC异质结的正反向特性,结果表明P+多晶硅/P-4H-SiC异质结体现出了良好的整流特性,具有低的正向开启电压和高的反向击穿电压.P+多晶硅P-4H-SiC异质结可以制成整流二极管.

关键词： 碳化硅 多晶硅 异质结 反向击穿电压

作者: 程小强 张玉明 张义门 张林

作者单位: 西安电子科技大学微电子所,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 587-589

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）