4H-SiC MESFET结构外延技术研究

摘要：

本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.

关键词： 4H-SiC SEM SIMS MESFET结构

作者: 李哲洋 董逊 柏松 陈刚 陈堂胜 陈辰

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 580-582

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）