SiC MESFET器件工艺研究

摘要：

本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.

关键词： 4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体

作者: 陈刚 柏松 张涛 汪浩 李哲洋 蒋幼泉

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 576-579

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）