ITO与p型SiCGe的接触特性研究
本论文利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜.研究不同工艺条件对ITO薄膜方阻、透过率及与p型SiCGe接触特性的影响.结果发现溅射功率为79.2W沉积的ITO薄膜透过率最高,可达88.15663％,方阻最低,为22.8Ω/□.以溅射功率为79.2W的工艺条件在p型SiCGe上沉积ITO薄膜,并研究其电压电流(I-V)特性与退火温度的关系.结果表明,在退火温度为400℃的退火条件下获得欧姆特性,同时ITO薄膜的最高透过率高达89.58761％,方阻为20.6Ω/□.
SiCGe 欧姆接触 ITO 磁控溅射
陈春兰 陈治明
西安理工大学电子工程系,西安,710048
国内会议
广西北海
中文
573-575
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）