4H-SiC MESFET器件的制备与性能研究

摘要：

本文在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电压Vds=10V时,它的漏极电Ids约为14mA,电流密度为175mA/mm,最大跨导为25mS/mm,fT=3.5GHz,fmax=7GHz.

关键词： S参数 直流测试 4H-SiC衬底 MESFET器件

作者: 宁瑾 张杨 刘忠立

作者单位: 中国科学院半导体研究所,100083;传感器国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 569-572

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）