磁控溅射SiC薄膜及其光电特性研究
本文用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜,并对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度与透射光谱.用J.C.Manifacier提出并由R.Swanepoel加以修正和完善的包络线法对薄膜透射光谱进行了分析计算,并结合Tuac公式确定了薄膜的光学带隙.结果表明:在低功率下可制备出表面平整,吸收系数小,光学带隙大的薄膜;增加沉积气压,薄膜吸收系数增大,光学带隙减小;退火处理后薄膜的吸收系数减小,光学带隙增大.
SiC薄膜 射频磁控溅射 表面形貌 光学特性 光电特性
周继承 郑旭强
中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083
国内会议
广西北海
中文
560-564
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）