碳化硅单晶体的切片、研磨和抛光
为了获得具有平整Si面的SiC晶片,使用线切割和机械磨抛的方法对6H-SiC(0001)晶锭进行加工.本文采用SEM和AFM对加工后获得的SiC晶片样品进行测试分析,结果表明:根据初步的加工工艺参数,可以使样品Si面的粗糙度小于0.4μm.结合切割和磨抛机理,本文还提出进一步改善加工效率和精度的方法,包括切割时x轴向进给速度上限、晶锭自转和研磨主盘转速下限和改善金刚石粒度均匀性.
SiC晶片 线切割 研磨 抛光
陈勇臻 陈治明
西安理工大学电子工程系,西安,710048
国内会议
广西北海
中文
557-559
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）