PVT法SiC单晶生长过程中的晶型变化

摘要：

本文报导对采用PVT法生长的6H-SiC单晶体切片的晶型和晶体结构的Raman光谱和X射线衍射谱分析.结果表明,采用含一定比例同质异晶型(Polytype)的6H-SiC籽晶生长的单晶体仍含有该种同质异晶型,但其比例在生长过程的不同阶段有明显变化.

关键词： SiC PVT法 同质异晶型 单晶生长

作者: 刘博 陈治明 封先锋

作者单位: 西安理工大学电子工程系,西安,710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 554-556

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）