SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析
本文用SEM和TEM对在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜样品进行了结构分析.实验样品的衬底温度为980℃,生长时间1h.结果表明,该样品具有两种形状不同的岛状结构特征,一种是规则的球形结构,另一种是三角型层状堆叠结构.前者形状规则,在样品中占主导地位;后者具有锐利整齐的台阶状边缘,在样品中数量较少.衍射花样的标定说明球形岛为闪锌矿结构,而层状堆叠岛为面心立方结构,且EDS结果说明层状堆叠岛上的Ge含量和C含量分别为2.24％和50％.
SiCGe 岛状生长 LPCVD SiC衬底
李连碧 陈治明 林涛 蒲红斌 李佳
西安理工大学电子工程系,西安,710048
国内会议
广西北海
中文
551-553
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）