硅基3C-SiC热氧化机理研究

摘要：

本文采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.采用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.

关键词： 热氧化 XPS 氧化机理 低压化学气相沉积

作者: 赵永梅 孙国胜 刘兴昉 李家业 赵万顺 王雷 罗木昌 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 543-546

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）