GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

摘要：

本文研究了液封直拉法生长的GaSb和InAs单晶的一些晶格缺陷.在GaSb和InAs(100)晶片的局部区域容易形成高密度位错聚集区,引起严重的晶格畸变.实验结果表明化学配比偏离(特别是富砷条件下)明显降低了InAs单晶的晶格完整性.避免生长过程中大的温度过冷度、保持化学配比是避免这类结构缺陷产生,制备高质量晶体的关键.

关键词： GaSb单晶 InAs单晶 晶格缺陷 液封直拉法 化学配比

作者: 赵有文 孙文荣 段满龙 董志远

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 70-73

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）