空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响

摘要：

利用电学测试、正电子寿命谱和X-射线衍射研究了原生和退火处理后半绝缘InP单晶的空位、填隙缺陷.原生掺铁半绝缘InP单晶含有空位缺陷,这些空位产生深能级补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.

关键词： 磷化铟 半绝缘InP单晶材料 空位 填隙缺陷 正电子寿命谱

作者: 赵有文 董志远 吕小红 段满龙 孙文荣

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 65-69

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）