InAs/GaAs量子点形貌与光学性质研究
采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.4ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.1ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs/GaAs量子点.在生长温度从480℃到535℃范围内,随温度升高,量子点密度不断减小,量子点的直径和高度却呈现增加趋势;而量子点的荧光峰表现为先红移,后蓝移.红移是因为随着生长温度的增加,量子点的尺寸增加影响的;蓝移则认为是In偏析和In-Ga互混导致量子点中的In含量减少造成的.通过分析480℃和535℃两个样品量子点生长区域的粗糙情况,发现在生长温度为535℃时,量子点生长层的界面平整度被严重的破坏,这可能是导致量子点光学质量下降的主要原因.
量子点 分子束外延 原子力显微镜 光致发光 InAs GaAs
姚江宏 贾国治 舒永春 王占国
南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;南开大学,信息光子材料与技术重点实验室,天津,300457;南开大学,泰达应用物理学院,天津,300457 南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;南开大学,信息光子材料与技术重点实验室,天津,300457;南开大学,泰达应用物理学院,天津,300457;中国科学院
国内会议
广西北海
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61-64
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）