生长温度对双模量子点尺寸分布和光学性质的影响

摘要：

采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.3ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.5ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs量子点.在生长温度从480℃到535℃范围内,量子点密度从2×1010cm-2减少到4×109cm-2,而量子点的直径和高度却是增加的.量子点从双模分布向单模分布转变.在低的生长温度下,成核太快造成了量子点的双模分布;而在高的生长温度下,In偏析和解析是形成量子点尺寸呈双模分布的主要原因.

关键词： 双模量子点 双模分布 原子力显微镜 光致发光 分子束外延 InAs

作者: 贾国治 姚江宏 舒永春 王占国

作者单位: 南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;南开大学,信息光子材料与技术重点实验室,天津,300457;南开大学,泰达应用物理学院,天津,300457 南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457南开大学,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;南开大学,信息光子材料与技术重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 57-60

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）