离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点光磁性质研究
用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,我们认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集在量子点周围减小量子点所受的应力,同时形成的团簇阻碍了界面上原子的互扩散作用有关.Mn在盖层中形成了GaMnAs,表现出较好低温的铁磁性。
InAs GaAs量子点 光磁性质 团簇 铁磁性 离子注入法
胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国
中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京市海淀区,100083
国内会议
广西北海
中文
53-56
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）