熔体外延法生长的截止波长8-12μm InAsl-xSbx单晶的透射光谱研究
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了一个InSb单晶和三个不同组分的InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品的截止波长与理论算得的数据基本一致,从而证实了熔体外延法生长的InAs1-xSbx单晶的禁带宽度变窄的现象.并认为组分微观分布的不均匀性可能影响Ⅲ-Ⅴ族混晶的能带结构.
熔体外延 截止波长 透射光谱 InSb单晶 InAs衬底 能带结构
高玉竹 龚秀英 山口十六夫
同济大学电子与信息工程学院,上海,200092,中国 静冈大学电子工学研究所,滨松市,日本
国内会议
广西北海
中文
49-52
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）