短栅长FET的实验研究

摘要：

随着GaAsMESFET栅长的缩短,器件出现异于长栅器件的特性.理论工作者对短栅器件物理开展了研究,修正了肖克莱模型并提出了若干新模型.本文以此为依据,通过器件模拟、材料结构设计、短栅器件制备和微波探针器件测试分析等途径对短栅器件开展了实验研究.在短栅器件中我们观察到异于长栅器件的饱和漏电流、跨导、夹断以及频率等特性.并对于实验与模型的差异略做解释.

关键词： GaAs MESFET 短栅长FET 肖克莱模型 材料结构

作者: 张绵

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 42-44

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）