带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究

摘要：

本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.

关键词： 中红外半导体光源 带内跃迁InP基QCLs 带间跃迁MQWLDs 分子束外延 量子级联激光器 量子阱激光器

作者: 李爱珍 李存才 胡建 徐刚毅 张永刚 林春 郑燕兰 李华 李耀耀 魏林 朱诚

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实騐室,上海微系统与信息技术研究所,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 39-41

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）