InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究
利用偏振时间分辨光谱和时间分辨kerr旋转谱,我们详细研究了GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋驰豫寿命长达3.4ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层InAs中电子自旋寿命没有显著变化.上述实验说明,低温下,InAs单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋驰豫机制占主导地位.我们可以通过改变材料结构和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋驰豫的目的。
GaAs InAs单层 自旋动力学 电子自旋驰豫 电子空穴
孙征 徐仲英 阮学忠 姬扬 孙宝权 倪海桥
中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室,100083,北京
国内会议
广西北海
中文
35-38
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）