微波宽禁带半导体走向实用化

摘要：

近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析了军民两种应用对器件要求的差异,指出高压工作时的长寿命是当前的难点.同时指出SiC MESFET已解决了高压工作时的可靠性问题,因而已被装备采用.最后对加速我国的微波宽禁带半导体器件实用化进程提出了建议.

关键词： 宽禁带半导体 微波半导体 功率管 器件实用化 GaN HEM

作者: 邵凯

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 16-22

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）