SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究

摘要：

利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiOz低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现-CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分子吸附于Si-CH3反应位情况下的吸水反应.当SiOC薄膜表面吸附多个水分子,并且水分子以二聚物形式存在时,吸水反应的势垒明显降低.

关键词： SiOC薄膜 低介电介质 密度泛函理论 吸水反应 互连线

作者: 孙亮 朱莲 薛原 丁士进 张卫

作者单位: 复旦大学,微电子学系,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006上海电子互联技术及材料国际论坛

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 9-11

在线出版日期: 2006-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）