在MgO和蓝宝石上CeO2缓冲层及T1-2212超导薄膜的制备
采用射频磁控溅射沉积在(001)MgO和蓝宝石(1102)基片上制备CeO2薄膜.研究了基片温度、溅射气压和溅射功率等条件对的CeO2薄膜质量的影响.在基片温度为700℃,溅射功率为50～120 W,溅射气压为6Pa下可以得到高质量”001”取向的CeO2薄膜.在具有CeO2缓冲层的MgO和蓝宝石基片上制备的Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)超导薄膜为(001)取向,a-b面内结构良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)分别为105.3K和104.2K,临界电流密度Jc(77K,0T)分别为2.37×106 A/cm2和1.76×106 A/cm2,在蓝宝石上超导薄膜的微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为725μΩ.
超导薄膜 蓝宝石基片 氧化镁基片 氧化铈缓冲层
谢清连 方兰 季鲁 张畅 周铁戈 张旭 左涛 何明 赵新杰 阎少林
南开大学信息技术科学学院电子信息科学与技术系,天津,300071
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2006-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）