悬浮液进样等离子体发射光谱分析纳米碳化硅
碳化硅(SiC),已越来越成为先进陶瓷基本材料之一.SiC陶瓷具有高温高强度、抗蠕变、高硬度、耐磨、耐腐蚀、抗氧化、高导电和热稳定性等一系列优异的性能,已广泛用于工业领域,然而,碳化硅微量,甚至痕量杂质都会显著影响到其性能.因此,碳化硅纯度测定对于此材料制备和表征显得尤为重要.悬浮液进样技术虽然已用于原子光谱分析陶瓷材料,但是详细的样品制备依然很少.另一方面,悬浮液雾化进样ICP-OES技术用于分析陶瓷粉末时,悬浮液的颗粒大小和稳定性及均匀性影响传输和雾化效率. 本文主要讨论悬浮液雾化ICP-OES分析纳米SiC粉末.使用PEI剂来分散和稳定SiC悬浮液,并通过Zeta电位测量、SEM形貌以及光谱信号稳定性等来表征悬浮液,并对结果进行了讨论。
悬浮液雾化 ICP-OES 等离子体发射光谱 纳米碳化硅粉末 陶瓷材料
汪正 邱德仁 陶光仪 杨芃原
中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;复旦大学化学系,上海,200433 复旦大学化学系,上海,200433 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
国内会议
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2006-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）