高功率微波放大器芯片热分析与热设计
高功率微波集成电路与芯片的可靠性与所使用的功率微波晶体管的沟道温度密切相关.晶体管最大允许的沟道温度直接影响着功放芯片的输出功率、散热的设计、和器件封装结构的设计.因此在在高功率微波放大器设计前,确定出晶体管的最大沟道温度是必要的.本文采用求解拉普拉斯方程方法和有限元方法,分别计算和仿真了5瓦级X波段微波功率放大器中晶体管的沟道温度,比较了在给定芯片热功耗和工作的环境温度下两种方法的优点和缺点,模拟结果表明两种方法得到的结果基本一致.
热分析 微波放大器 热设计 有限元方法
苏友友 李家胤 文光俊
电子科技大学863强辐射实验室,成都,610054
国内会议
长沙
中文
301-304
2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）