无箔二极管中环形束流特性研究
通过理论分析和PIC粒子模拟的方法,对无箔二极管中环形束流电子的定性行为和束流Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.分析环形束流电子的定性行为得出,环形束流的品质特性主要由束流电子的快速回旋运动决定,快速回旋运动的速度决定了束流电子横向速度的大小,快速回旋运动的径向位移决定了束流电子的径向位移大小.研究得出的Ⅰ-Ⅴ特性公式,包含了阳极腔区参数对束流强度的影响,给出的结果与数值模拟结果相对误差小于10％.并依据研究结果提出了通过优化阳极腔区参数来提高束流品质和准确预测输出束流强度的建议.
无箔二极管 环形电子束 PIC粒子模拟 束流强度
张永鹏
清华大学,工程物理系,北京,100084;西北核技术研究所,西安,710024
国内会议
长沙
中文
229-233
2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）