半导体激光雷达的外调制器综述
随着无扫描半导体激光雷达技术的突破,要求对数十瓦的大功率连续半导体激光源有更好的调制特性.文中比较各种调制方式,认为LiNbO3体调制方案是实现大功率半导体激光调制的有效途径,但其也有调制电压高、集成化小型化能力差的缺陷.基于外延生长技术半导体集成光电子工艺的发展,生长多量子阱和垂直腔面发射激光面阵成为现实.认为采用电吸收调制器与面发射激光器的集成单元构成二维密集阵列有望获得较高调制质量的大功率激光输出,可实现激光雷达的小型化。
无扫描激光雷达 半导体激光 激光调制器 LiNbO3 电吸收 多量子阱
姜鹏 陆威 王骐
哈尔滨工业大学,光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
国内会议
长春
中文
223-227
2007-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)