快速软恢复二极管及其模块
在高频应用中为了减少电路损耗和防止过电压尖峰对器件的损坏,需要快速软恢复二极管.硬开关过程中存在二极管反向恢复电流(Irm)增加了开关器件开通损耗率和过电压尖峰,并且在快速 di/dt开关时能够产生电磁干扰.本文介绍了采用特殊工艺设计的快速软恢复二极管.该二极管是为高频应用而设计的,在高频应用方面具有稳定的开关特性.本文还介绍了用该二极管制造的 200A绝缘型和非绝缘型快速软恢复二极管模块及其应用.
快速二极管 软恢复 电磁干扰
王培清 张斌
清华大学电力电子厂,北京,102201
国内会议
西安
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2006-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)