脉冲功率源及半导体开关技术综述

摘要：

简要介绍了脉冲功率技术的发展及应用领域、研究现状,提出了脉冲功率源面临的若干关键技术问题,分析了作为核心元件之一的半导体开关在脉冲功率技术领域的优势,介绍了 GCT,IGCT,IGBT,功率 MOSFET的最新发展.论述了利用可控等离子体工作的功率器件 RSD以及利用延迟冲击-电离波工作的超高速半导体开关 DS的基本工作原理.展望了功率半导体开关在脉冲功率领域的巨大发展潜力.

关键词： 脉冲功率源 半导体开关 RSD

作者: 余岳辉 邓林峰 梁琳 吕炳科

作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 西电技所,西安,710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

在线出版日期: 2006-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）