NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺
(0) 研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射.为了得到良好特性的隧道结,我们首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形.再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层.经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后乘积上电极.我们使用四端子方法对我们制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的相应.
超导隧道结 隧道结 磁控溅射
刘希 康琳 孙静 赵少奇 仓路 吉争鸣 吴培亨
南京大学电子系超导电子学研究所,南京,210093
国内会议
成都
中文
58-59
2006-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）