在蓝宝石衬底上反应溅射法制备CeO2薄膜
实验用金属铈做为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石基片上制备C轴取向CeO2外延薄膜.实验结果表明在低温、低溅射功率条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;当升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱(002)取向增强;在过高温和过高溅射功率条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长.其中基片温度在680℃左右,溅射功率在80W左右,溅射气压在25Pa,氩氧比在30/2条件下能够制备得到高质量(002)取向CeO2缓冲层.所制备的CeO2薄膜具有优良的取向和平整的表面.
反应溅射 氧化铈缓冲层 蓝宝石 外延生长 超导薄膜
雷跃刚 王霈文 李弢 古宏伟 张华 王萍
北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088
国内会议
成都
中文
23-26
2006-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）