1550 nm升频单光子探测器的特性分析

摘要：

本文分析了一种工作波长为1 550 nm,利用铌酸锂周期极化波导和硅雪崩二极管构成的升频单光子探测器的性能,给出了应用这种探测器的理想通信系统的结构组成,讨论了升频单光子探测器主要参数:量子效率和暗记数及其与泵浦功率的关系.通过比较得出升频探测器优于传统的InGaAs/InP雪崩二极管单光子探测器,能很好地改善量子通信系统的性能.

关键词： 单光子探测 量子效率 探测器 暗记数

作者: 冯晨旭 焦荣珍

作者单位: 北京邮电大学,理学院,北京,100876

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 206-208

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）