InGaAs短波红外探测器
与InP衬底晶格常数相匹配的In0.53Ga0.47As材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7 μm,具有高达80％以上的量子效率.本文通过对InGaAs探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及InGaAs芯片和HgCdTe芯片的性能测试、比较,充分证明了InGaAs材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能InGaAs探测器的可行性.对InGaAs芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs材料温度响应重复性较好.
短波红外 InGaAs 探测器 光谱特性
潘建旋 以善珍 周航宇
天津津航技术物理研究所,天津,300192
国内会议
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202-205
2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）