HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制

摘要：

p-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔p-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据.

关键词： 暗电流 碲镉汞 光伏探测器 模拟计算 红外探测器

作者: 李欣 王淑芬 毛京湘 赵晋云

作者单位: 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 189-192

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）