等离子体刻蚀过程中的FTIR监控技术

摘要：

本文采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和MCT红外探测器可以构成原位的FTIR测量系统,可应用于在电感耦合等离子体刻蚀机中进行的硅刻蚀工艺.文中对反应腔室腔壁状态对刻蚀过程的影响,以及在硅晶片表面反应层的变化进行了详细的研究.实验表明:采用含F化合物对反应腔室进行清洗会改变反应腔室的状态,在腔室内壁状态达到稳定之前会对刻蚀速率的一致性造成扰动.硅片表面反应层中的化学组成变成了以CF为主的薄膜层,对刻蚀过程的有一定的抑制作用.

关键词： 等离子体刻蚀 MCT探测器 傅里叶红外光谱仪 硅刻蚀工艺

作者: 王巍 吴志刚 兰中文 姬洪

作者单位: 重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065 电子科技大学,电子工程学院,四川,成都,610054 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 124-126

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）