真空退火对氧化钒薄膜的相成分和电学性能的影响

摘要：

本文利用真空退火工艺处理p-Si(100)衬底上磁控溅射制备的氧化钒多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD)分析、原子力显微镜(AFM)以及四探针测试方法,研究了退火时间对薄膜的相成分和电学性能的影响,并观察分析了氧化钒薄膜的表面形貌.研究结果表明,随着退火时间的变化,薄膜的相成分不断发生变化,钒氧比例不断升高,可以得到多种氧化钒的相.适当的真空退火处理可以改善薄膜的表面质量,并且能有效地降低氧化钒薄膜的室温电阻率达两个数量级.

关键词： 氧化钒 真空退火 相成分 电学性能 磁控溅射

作者: 王银玲 李美成 彭化 赵连城

作者单位: 哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 63-66

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）