磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究

摘要：

本文用直流磁控溅射法在相对较低温度220 ℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9％/℃的VOx薄膜.通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该VOx薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料.与传统的工艺相比,由于该薄膜淀积过程无需高温退火,在后期的红外焦平面制作过程中,可以较好地保护红外焦平面阵列的CMOS电路.

关键词： 氧化钒薄膜 非制冷红外探测器 磁控溅射

作者: 戴君 王兴治 何少伟 马宏 易新建

作者单位: 华中科技大学,光电子科学与工程学院,湖北,武汉,430074;武汉光电国家实验室,湖北,武汉,430074 华中科技大学,光电子科学与工程学院,湖北,武汉,430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 59-62

在线出版日期: 2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）