衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响

摘要：

采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了AlN薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成.结果表明,AlN薄膜主要含有AlN,存在少量Al2O3及一些其它杂质;随着基片温度的升高,AlN薄膜的纯度提高.

关键词： 氮化铝薄膜 磁控溅射 衬底温度 玻璃衬底

作者: 张淑芳 方亮 付光宗 董建新 彭丽萍

作者单位: 重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044 重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044;重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆,400044

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007高技术新材料产业发展研讨会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 179-181

在线出版日期: 2007-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）