倒筒式射频溅射自偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响
本文采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C·cm-2·K-1.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.
BST 倒筒式 射频溅射 热释电系数 探测率
赵强 罗一生 刘祚麟 马建福 张万里
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
国内会议
上海
中文
38-41
2007-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）